- 随机存取存储器(RAM)
- 读任意地址时间一样
- 静态存储器(SRAM)六个晶体管,速度更快
- 动态存储器(DRAM)一个电容一个晶体管,要不停刷新,集成度高
- 破坏性的读,要写回去;同时会漏电,需要刷新电路,需要时间(其实也是一个读过程)
- 顺序存取存储器(SAM)
- 磁带,极其稳定
- 存储时间和地址相关
- 直接存储器(DAM)
- 磁盘,直接定位到读写数据块,在读写数据块的时候按顺序进行(CDROM)
- 名字从 DMA 来的
- 相联存储器(AM)
- 按内容检索到存储位置进行读写
- 布隆过滤器
断电后还在不在:
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易失性
- EPROM 可擦除只读存储器
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非易失性
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PROM 可编程只读
自然的安排成矩阵的形式(放在平面上),定义行地址、列地址
时分复用 先给出行再给出列,用位平面同时给出
对于 RAM 刷新方式的安排方式
- 集中刷新:64ms 内集中安排所有刷新周期。不过在这个时间内不能工作(称为死区)
- 分散刷新:在每个存取周期内刷新。拖慢了周期时间
- 异步刷新:主要的刷新方式