- 随机存取存储器（RAM）
- 读任意地址时间一样
- 静态存储器（SRAM）六个晶体管，速度更快
- 动态存储器（DRAM）一个电容一个晶体管，要不停刷新，集成度高
- 破坏性的读，要写回去；同时会漏电，需要刷新电路，需要时间（其实也是一个读过程）
- 顺序存取存储器（SAM）
- 磁带，极其稳定
- 存储时间和地址相关
- 直接存储器（DAM）
- 磁盘，直接定位到读写数据块，在读写数据块的时候按顺序进行（CDROM）
- 名字从 DMA 来的
- 相联存储器（AM）
- 按内容检索到存储位置进行读写
- 布隆过滤器
- 随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）：
- 数据可以随机读取或写入，无需按照物理位置的顺序访问，速度较快，且在断电时数据会丢失。
- 主要分为静态 RAM（SRAM）和动态 RAM（DRAM）两种类型。
- 顺序存取存储器（SAM，Sequential Access Memory）：
- 只能按顺序访问存储单元。每次读取数据时，必须从头开始访问，通常速度较慢。
- 典型例子：磁带、磁盘。
- 直接存取存储器（DAM，Direct Access Memory）：
- 数据可以直接通过地址访问，而不需要按顺序。它是**随机存取存储器（RAM）**的一种。
- 典型例子：硬盘、光盘。
- 相联存储器（Associative Memory）：
- 通过内容而不是地址来进行数据存取，即根据数据的内容来查找存储位置，而非使用特定的地址。
- 典型例子：内容地址存储器（CAM，Content Addressable Memory）。
- 只读存储器（ROM，Read-Only Memory）：
- 只允许读取，不能写入。ROM 通常在制造过程中烧录数据，具有较高的稳定性。
- 典型例子：固件、BIOS。
- 读写存储器（RW, Read-Write Memory）：
- 既可以读取也可以写入的存储器，通常指的是 RAM。
- 非易失性存储器（Non-volatile Memory）：
- 在断电后依然能保存数据的存储器。即使断电，数据也不会丢失。
- 典型例子：ROM、闪存（Flash Memory）、硬盘（HDD）、固态硬盘（SSD）。
- 易失性存储器（Volatile Memory）：
- 断电后数据会丢失的存储器。
- 典型例子：RAM。
- 静态存储器（Static Memory，SRAM）：
- 使用双稳态触发器保存数据，不需要定期刷新，速度较快，但每比特的存储单元较大，成本高。
- 用于缓存、寄存器等场合。
- 动态存储器（Dynamic Memory，DRAM）：
- 使用电容存储数据，需要定期刷新以防数据丢失。存储密度高，成本低，但速度较慢。
- 常用于主存。
自然的安排成矩阵的形式（放在平面上），定义行地址、列地址
时分复用 先给出行再给出列，用位平面同时给出
对于 RAM 刷新方式的安排方式
- 集中刷新：64ms 内集中安排所有刷新周期。不过在这个时间内不能工作（称为死区）
- 分散刷新：在每个存取周期内刷新。拖慢了周期时间
- 异步刷新：主要的刷新方式