• 随机存取存储器(RAM)
    • 读任意地址时间一样
    • 静态存储器(SRAM)六个晶体管,速度更快
    • 动态存储器(DRAM)一个电容一个晶体管,要不停刷新,集成度高
      • 破坏性的读,要写回去;同时会漏电,需要刷新电路,需要时间(其实也是一个读过程)
  • 顺序存取存储器(SAM)
    • 磁带,极其稳定
    • 存储时间和地址相关
  • 直接存储器(DAM)
    • 磁盘,直接定位到读写数据块,在读写数据块的时候按顺序进行(CDROM)
    • 名字从 DMA 来的
  • 相联存储器(AM)

断电后还在不在:

  • 易失性

    • EPROM 可擦除只读存储器
  • 非易失性

  • PROM 可编程只读


自然的安排成矩阵的形式(放在平面上),定义行地址、列地址

时分复用 先给出行再给出列,用位平面同时给出

SGX


对于 RAM 刷新方式的安排方式

  • 集中刷新:64ms 内集中安排所有刷新周期。不过在这个时间内不能工作(称为死区)
  • 分散刷新:在每个存取周期内刷新。拖慢了周期时间
  • 异步刷新:主要的刷新方式